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雜質濃度測試儀(yi)
產品簡介
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雜質濃度測試儀(yi)
雜質濃度測試儀(yi)
產(chan) 品型號： KDB-1A
產(chan) 品簡介
原理：根據矽、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質濃度的關(guan) 係，可直接測量、計算出晶體(ti) 內(nei) 的雜質濃度。
適用範圍：它適合於(yu) 測量橫截麵尺寸是可測量的，而且棒的長度大於(yu) 橫截麵線度的有規則的長棒，例如橫斷麵為(wei) 圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。
用途：根據測量沿錠長雜質濃度的分布狀況決(jue) 定產(chan) 品的合格部分，通過雜質濃度的直接測量，決(jue) 定晶體(ti) 生長過程中的摻雜數量。
樣品可在常溫或低溫下測量。
顯示方式：儀(yi) 器連接PC機，通過**用測試軟件計算，用對數坐標的方式來顯示雜質濃度（含次方數）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。
測量範圍： 可測晶體(ti) 電阻率：0.005-3000Ω·cm。
直流數字電壓表測量範圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。
用途：根據測量沿錠長雜質濃度的分布狀況決(jue) 定產(chan) 品的合格部分，通過雜質濃度的直接測量，決(jue) 定晶體(ti) 生長過程中的摻雜數量。
樣品可在常溫或低溫下測量。
顯示方式：儀(yi) 器連接PC機，通過**用測試軟件計算，用對數坐標的方式來顯示雜質濃度（含次方數）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。
測量範圍： 可測晶體(ti) 電阻率：0.005-3000Ω·cm。
直流數字電壓表測量範圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。
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